Un equipo de científicos anunció este lunes que desarrollaron una memoria más veloz y que consume menos energía que la memoria 'flash', usada habitualmente.
Científicos de IBM, Macronix y Qimonda indicaron que desarrollaron un material que hace esta memoria 'phase-change' (PCM) entre 500 a 1.000 veces más veloz que la memoria 'flash', y con la mitad de la energía.
"Se pueden hacer muchas cosas con esta memoria 'phase-change' que no se pueden hacer con la memoria 'flash'", dijo el científico de IBM Spike Narayan a la AFP, presagiando reproductores MP3, cámaras digitales y otros artefactos más sofisticados.
Los detalles técnicos del hallazgo serán presentados a los ingenieros reunidos en la reunión internacional de aparatos electrónicos 2006, que se desarrolla en San Francisco.
Científicos de IBM, Macronix y Qimonda indicaron que desarrollaron un material que hace esta memoria 'phase-change' (PCM) entre 500 a 1.000 veces más veloz que la memoria 'flash', y con la mitad de la energía.
"Se pueden hacer muchas cosas con esta memoria 'phase-change' que no se pueden hacer con la memoria 'flash'", dijo el científico de IBM Spike Narayan a la AFP, presagiando reproductores MP3, cámaras digitales y otros artefactos más sofisticados.
Los detalles técnicos del hallazgo serán presentados a los ingenieros reunidos en la reunión internacional de aparatos electrónicos 2006, que se desarrolla en San Francisco.